III-V semiconductors; aluminium compounds; annealing; buffer layers; carrier lifetime; dislocations; gallium arsenide; gallium compounds; indium compounds; GaAs; In/sub 0.53/Ga/sub 0.47/As; InGaAlAs; M-buffer; carrier lifetime; electrical properties; metamorphic buffer;
机译:使用InGaAlAs变质缓冲液在GaAs上低温生长的In_(0.53)Ga_(0.47)As的载流子动力学
机译:在GaAs衬底上生长的In_(0.52)Al_(0.48)As / In_(0.53)Ga_(0.47)As异质结双极晶体管中使用的InP,InAlAs和AlGaAsSb变质缓冲层的热特性
机译:In-0.53 $ Ga $ _0.47 $ As p-i-n光电二极管在变态InGaP缓冲半绝缘GaAs衬底上的10 Gb / s操作
机译:使用InGaAlAs变质缓冲液在GaAs上低温生长的In / sub 0.53 / Ga / sub 0.47 / As的电和结构性质
机译:与n-GaAs和n-In(0.53)Ga(0.47)As的欧姆接触:一种热力学方法。
机译:电学和光学特性对AlAs / In0.53Ga0.47As / InAs共振隧穿二极管中生长中断的依赖性
机译:使用inGaAlAs变质缓冲液在0.53Ga0.47ason GaAs中低温生长的电学和结构性质
机译:生长和退火Gaas的表征:结构缺陷和电性能。