(P46-P096)自己組織化メタルナノドットアレイの作製及びフローティングナノドットメモリへの応用

机译：（P46-P096）制备自组装金属纳米型阵列及其在浮动纳米型记忆中的应用

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【緒言】電子系に対する，深い閉じ込めポテンシャル井戸を実現できる，金属ナノドットをフローティングゲートとして， MOS トランジスタのゲート電極膜に組み込むことによる，高機能性メモリデバイスの作製に挑戦する．我々はこれまでに，液相中において金属ナノ粒子の形状制御合成技術や分散技術，さらには液相中に分散させたナノ粒子を基板上に高密度に単層集積化する技術の開発をおこなってきた．

机译：本发明可以通过将金属纳米型作为浮栅结合到MOS晶体管的栅电极膜中，实现深度限制势阱，这是一种深度限制势阱，挑战高性能存储器件到MOS晶体管的栅极膜中。我们曾经开发过技术，控制合成技术，金属纳米颗粒，分散技术的分散技术，以及分散在液相中的技术的进一步发展。

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来源
《日本金属学会大会》|2012年||共1页
会议地点
作者
鷲見竜太郎; 是津信行; 上野智永;
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作者单位

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正文语种
中图分类 TG14-532;
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