(207-0160)高エネルギー電子照射下での高純度タングステン中のボイドの非一様成長

摘要

高エネルギー電子照射下での金属中の単空孔の集合によるボイドの形成過程については、これまで主に超高圧電子顕微鏡を用いて調べられ、様々な知見が蓄積されてきた。高純度のNb、Mo、およびFe については、狭い照射温度範囲 (0.30～0.36)Tm（Tm：融点）において、ボイドは、転位バイアスによって形成され、ほぼ等方的に成長すると報告されている （K. Kitajima et al., JNM 85 & 86 (1979)725.）。我々は、第一原理計算によって単空孔同士の結合エネルギーが負であると結論されている（C.S. Becquart and C. Domain, NIMPRB 255 (2007)23.）W においても、同様の照射温度範囲で、転位バイアスによって、ボイドが形成されることを実証した (本学会 2010 年秋期大会)。本講演では、ボイドの成長の過程を報告する。