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【24h】

IMD法とPIT法をミックスした方法による高臨界電流密度MgB_2線材の作製

机译:用混合方法和坑法制备高临界电流密度MgB_2线的制备

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摘要

最近では、内部Mg拡散法(IMD法)により高い臨界電流が得られるようになり[1,2]、長い線材の作製も可能になってきた。しかしながら、IMD法では、Mgの拡散距離が長いので、未反応のB粒子[3]やBリッチ相[4]が出てくるので、線材断面におけるMgB_2の面積の比率が減少する。即ちMgB_2占有率が小さくなってしまう。これはEngineering J_c (J_e)の観点から不利である。更に、IMD法によるMgB_2線材の中心には空隙が形成されるので、この空隙を減少させることが望まれる。本研究では、IMDとPIT法を混合した新しい方法でMgB_2線材を作製した。この方法はIMD法線材におけるMg棒の径を減少させ、同時にB粉末層にMg粉末を添加するものである。
机译:最近,可以通过内部Mg扩散方法(IMD方法)[1,2]获得高临界电流,并且还制造了长线。 然而,在IMD方法中,由于Mg的扩散距离是长的,因此出现未反应的B颗粒[3]和B富相[4],因此减少了线横截面中的MGB_2面积的比率。 也就是说,MGB_2占用率降低。 这在工程J_C(J_E)方面是不利的。 此外,由于通过IMD方法在MGB_2线的中心形成气隙,因此期望减少该空隙。 在该研究中,MGB_2线以混合IMD和坑法的新方法生产。 该方法降低了IMD正常材料中Mg棒的直径,同时将Mg粉末添加到B粉末层。

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