低ヒステリシス損失高臨界電流密度Nb_3Sn線材の開発

摘要

ブリッジングの発生が予想される領域のフィラメント間隔を極力広げる手法により、J_c＝1,011A/mm~2＠12T,4.2K、Q_h＝249mJ/cm~3＠±3T，4.2Kという良好な特性を有する線材の開発に成功した。