SIC CRYSTAL GROWTH AT; TEMPERATURES DERIVED; BORON CARBIDE ADDITIVE;
机译:无定形Si-C粉末的无晶体低温烧结衍生自硼改性的聚氨基硅烷:朝向具有可调谐机械,电气和热性能的SiC设计
机译:聚碳硅烷和金属钛与CaF_2添加剂原位反应生成Ti_3SiC_2单晶的机理
机译:新型含硼聚碳硅烷衍生的耐高温SiC纤维
机译:低温下的SiC晶体生长来自聚碳硅烷与硼碳化物添加剂
机译:碳化硼单晶的生长和表征
机译:超硬的硼硼碳化物结晶度受控度
机译:用煅烧沥青焦炭粉末制备的多晶石墨的高温弯曲强度,具有二氧化硼或碳化硼的添加剂
机译:新型宽带隙晶体:2H-siC和β-氧化镓的低温生长。