フェムト秒レーザを用いたダブルパルスビームによる励起状態面の半導体表面加工に関する研究－表面励起状態の時間依存特性に関する検討

摘要

現在，半導体デバイスの製造過程における半導体ウエハの平坦化工程で，表面に傷を残さず残留応力の少ない高精度かつ高効率な加工方法の確立が必要とされている．筆者らはこれらの要求を満たす新たな手法として，フェムト秒レーザを用いた半導体表面の光励起加工を提案している．提案手法では，フェムト秒レーザ照射による材料表面の瞬間的な励起現象に着目し，その励起領域のみを除去加工する手法の確立を目指している．