入口―基板間距離が円筒流路内の水平断面温度分布に及ぼす影響

机译：基板与圆柱通道水平横截面温度分布的距离的入口效应

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コールドウォール型CVD装置(Chemical vapor deposition法，以降CVD)では，大きな温度勾配が鉛直上方に発生するため，自然対流が起こり，膜厚の均一性に影響を与える.CVD中の物質移動が拡散律速と仮定できる場合，反応器内の加熱された基板上の熱伝達係数分布を理解することは重要である.本研究では，流入口と基板間の距離とガスの種類と供給ガス流量を変化させて，円筒流路内の基板上の水平温度分布を測定した.

机译：在冷壁式CVD装置（CVD，CVD）中，大的温度梯度垂直向上发生，因此自然对流发生并影响膜厚度的均匀性。CVD中的物质的移动是扩散的。重要的是要了解传热系数非常重要在反应器中的加热基板上的分布。在该研究中，改变了入口和基板之间的距离和气体的类型和供应气体流速。测量圆柱通道中的基板上的水平温度分布。

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来源
《日本機械学会年次大会》|2017年|1(CD-ROM)|共5页
会议地点
作者
石田智基; 田之上健一郎; 西村龍夫;
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正文语种
中图分类 TH-53;
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