机译:10 B(n,α)7Li反应在4.0和5.0 MeV下的截面测量。
机译:在1.0 eV至2.5 MeV中子能范围内测量10B(n,α)7Li反应的微分截面和角度积分截面
机译:<斜视> R 斜体> -matrix分析与激发 10 sup> b复合核的激发,精力为6.5-19.5 mev
机译:颗粒泄漏,横截面比10b(n,)/ 238u(n,裂变)和反应10b(n,)7li的激发功能在mev Energies
机译:在10、17、25和35 AMeV下的铜63 +钼92,100和在20 AMeV下的氖20 + --144,148,154的激发能沉积和裂变过程。
机译:氘代小鼠的10B(nα)7Li反应全身照射。
机译:图10B(n,α)7LI和10B(n,α1γ)7Li横截面数据,最多为3 mev入射中子能量
机译:使用9Be(d,n)10B反应作为“白色”中子源,从1.0到14 meV的9Be,10,11B和12,13C的中子总截面测量