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【24h】

The Oxide-Trap-Distributed Dependence of Exponent /spl gamma/ on 1/f/sup /spl gamma// Noise in Mosfets Device

机译：指数/ SPLγ/在MOSFET装置中的指数/ SPLγ/ ON 1 / F / SPL / SPLγ//噪声的氧化物陷阱分布依赖性

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《Symposium on Semiconductor Modeling Simulation 》|2001年||共2页
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作者
Chen H.H.; Chen S.L.; Institute of Electric and Electronic Engineer;
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正文语种
中图分类自动化技术、计算机技术 ;
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