レーザ生成プラズマEUV光源用ゼノンドロップレットターゲットの開発

摘要

均一な体積、形状をもつ微小液滴の生成方法は、大きくContinuous-Jet法とDrop-on-demand法に分けることができる。両手法とも、古くから科学、工業分野における様々な装置に利用されてきた。前者はバイオ分野における細胞分析用のセルソーターや、核融合用ターゲット装置に、後者は言うまでもなく、近年の高精細プリンタのインク供給ノズルに応用され、一大市場を形成している。また、近年めざましい発展をとげた半導体集積回路製造装置の分野においても、次世代リソグラフィ装置として最も有望視されている、波長13.5nmの極端紫外線（EUV : Extreme Ultraviolet）を利用した、レーザ生成プラズマEUV光源のプラズマターゲットとして微小液滴の適用が進められている。図1は、最新の半導体リソグラフィロードマップと使用される光源波長の関係を表したものである。現在、半導体露光装置に使用されているエキシマレーザ(波長193～248nm)に代わり、より微細な回路加工が可能なEUV露光装置が2010年から導入される予定である。本稿では、EUV光源装置用ドロップレットターゲット供給装置の開発状況と、現在の課題について述べる。