電界砥粒制御技術を用いた単結晶サファイア基板の高効率研磨加工に関する検討

摘要

現在、世界的に環境負荷の低減、省エネルギー化が重要課題とされ、グリーンイノベーションが加速している。これを受けて、既存の照明デバイスと比して省エネルギー且つ長寿命なLED市場が活況を呈している。このLED用基板の製造法としては、単結晶サファイア基板上にて窒化ガリウムをエピタキシャル成長させる方法が広く用いられている。しかし、単結晶サファイアはダイヤモンド、SiCに次ぐ硬度を有し、高い化学安定性を有する難削材料である。更に、用途上、原子レベルで平滑な表面が求められることから、現状は、特に研磨加工に多くの時間を費やしている。本研究では研磨工程に電界砥粒制御技術を導入し、砥粒の配置制御を行うことで加工の高効率化を実現し、産業界に貢献することを目的とする。