Niメッキ接合および高温はhだ接合を用いたSiCパワーモジュールにおけるスイッチング特性評価

摘要

近年，電力変換機器の適用拡大により小型で高温動作可能なパワーモジュールが期待されている。それに伴い，パワーモジュールの寄生インダクタンスの低減とスイッチング波形改善に関する研究が進められている。本稿では，従来構造とNiメッキ接合構造のSiCパワーモジュールについて，寄生インダクタンスの解析と実測およびスイッチング試験を行い，寄生インダクタンスの違いによるスイッチング波形への影響を評価したので報告する。