机译:闪光灯退火和激光尖峰退火对15 nm金属氧化物半导体器件随机掺杂波动的影响
机译:Ge CMOS中浅结的激光尖峰退火
机译:实验确定激光尖峰退火过程中的温度分布,并与3维模拟进行定量比较
机译:45nm CMOS的峰值,闪光,SPER和激光退火的比较
机译:用于闪光灯退火多晶硅TFT的自对准CMOS工艺的开发
机译:闪光激光退火以控制磁性合金纳米粒子的尺寸和形状
机译:在45nm CMOS中的0.45pJ /转换步长1.2Gs / s 6b全奈奎斯特非校准闪存ADC及其缩放行为