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Lattice sites and stability of implanted Er in Fz and Cz Si

机译：FZ和CZ SI中植入ER的格子网站和稳定性

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We report on the lattice location of ~167Er in Si measured by conversion electron emission channeling. In both FZ and CZ Si, a high fraction of Er (65

机译：我们通过转换电子发射沟道测量的Si中〜167er的晶格位置报告。在FZ和CZ SI中，一小部分ER（65

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来源
《Symposium on materials and devices for silicon-based optoelectronics 》|1998年||共6页
会议地点
作者
U.Wahl; J.G.Correia; G.Langouche; A.Vantomme; Materials Research Society;
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原文格式 PDF
正文语种
中图分类元素半导体 ;
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