light illumination; recombination lifetime; injection level; Fe-B;
机译:使用微波光电导衰减(mu PCD)技术对硅晶片和检测器进行复合寿命表征和绘图
机译:绝缘体上硅晶片映射在光致发光强度和微波光电导衰减寿命之间的比较
机译:微波测量硅锭载流子寿命中观察到的异常光电导衰减。
机译:过渡金属掺杂CZ硅晶片中的光学激发效果透露了微波光电导衰减衰减寿命测量
机译:在脉冲冷却条件下通过脉冲激光沉积[和]自由基,氟代亚甲基和氯卡宾的荧光激发光谱和原子荧光测量方法生长的金属氧化物薄膜的结构特征,以及荧光寿命的测量。
机译:霍尔效应和光电导率测量表明杂化钙钛矿中的载流子寿命延长和扩散
机译:使用微波光电导衰减法定量测定氧化的p型硅晶片中的铜
机译:用硫属元素掺杂超硅的光电导率的非接触式微波测量。