机译:紫外-B激光二极管结构中的引导层自发亚斑喷发射分析含有组合物分级的P-AlGaN包层覆层
机译:气体源分子束外延生长具有InGaP包覆层的低阈值电流密度1.3μmInAs / InGaAs量子点激光器
机译:p型熔覆层中附加的低Al含量层可扩展光束的780 nm AlGaAs激光器的长期60 mW工作
机译:梯度层和自由形组件的激光熔覆
机译:使用晶圆熔覆层的1.55微米平面激光器。
机译:激光重熔对激光金属沉积形成的Inconel 718超合金层覆层的影响
机译:紫外-B激光二极管结构中的引导层自发亚斑喷发射分析含有组合物分级的P-AlGaN包层覆层
机译:具有亚稳态GaInassb有源层和alGaassb包层的3倍微米发射双异质结构二极管激光器