机译:拟态AlGaAs / InGaAs / GaAs MODFET负负电阻的直流和高频特性的实验和理论研究
机译:采用介电辅助工艺的0.12μm双凹栅AlGaAs / InGaAs / GaAs拟态高电子迁移率晶体管的直流和微波特性比较研究
机译:栅极控制的AlGaAs / InGaAs / GaAs伪变形MODFET漏极电流中的负差分电阻特性
机译:AlGaAs / GaAs / InGaAs伪晶MODFET的光子直流和微波特性
机译:AlGaAs / InGaAs伪晶高电子迁移率晶体管的击穿行为和优化。
机译:使用液相沉积的TiO2作为栅介质的AlGaAs / InGaAs PHEMT的亚阈值特性和闪烁噪声降低
机译:栅极长度短的GaAs / AlGaAs / InGaAs伪变形MODFET的选择性反应离子刻蚀
机译:假晶InGaas / alGaas(ON Gaas)和InGaas / Inalas(Inp)mODFET结构的电子特性