MOSFET; semiconductor device models; tunnelling; asymmetric double-gate MOS devices; double gate MOSFET; drain-to-body band-to-band tunneling; nanoscale symmetric double-gate MOS devices; tunneling leakage;
机译:新型纳米级双栅架构中的低带间隧穿和栅隧穿电流:仿真和研究
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机译:通过栅极电介质叠层的双栅极和单栅极SOI MOSFET的栅极隧穿电流的精确计算
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机译:通过隧道外延,使用氮化的热氧化物作为栅绝缘体,开发自对准双栅MOSFET的工艺流程。
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机译:作者:张莹莹,王汝传,闫澍旺,电力电子技术pOWER ELECTRONICs深亚微米mOsFET中忽略载流子隧穿对静电势的影响
机译:无意离散电荷对薄体双栅极mOsFET的标称无效通道的影响:经典到全量子模拟