Band Gap. Stress; Doping; Photoluminescence;
机译:通过各种过渡金属掺杂在ZnO / Tm(Tm = Fe,FeCo,Cr和Mn)薄膜中调节结构对光学和磁性的影响
机译:镁掺杂水平和退火温度引起的高c轴取向ZnO:Mg薄膜和Al / ZnO:Mg / p-Si / Al异质结二极管的结构,光学和电学性质
机译:Mg掺杂水平和退火温度诱导高度C轴取向ZnO:Mg薄膜和Al / ZnO:Mg / P-Si / Al异质结二极管的结构,光学和电性能
机译:退火对过渡金属掺杂ZnO薄膜光学性质的影响
机译:过渡金属掺杂氧化物薄膜的磁和电性能
机译:快速热退火对原子层沉积生长Zr掺杂ZnO薄膜的结构电学和光学性质的影响
机译:掺杂浓度和退火温度对溶胶 - 凝胶法对Ga掺杂ZnO薄膜电和光学性质的影响