SiCウエハにおけるレーザ潜傷探査法に関する研究

摘要

SiCは，高い熱伝導率やワイドバンドギャップといった優れた物性値から，現在主流のシリコンに代わる次世代のパワー半導体基板材料として注目されている.SiCを半導体基板材料として用いるためには，研削·研磨·洗浄の多くの工程を経てナノメートルオーダの粗さと加工変質層のない清浄平滑面にする必要がある.加工変質層の残留は歩留まりを低下させるため，工程中で生じた加工変質層は次工程で完全に除去することが求められている.とくに粗さに現れない残留応力は潜傷と呼ばれており，応力解放によって開口し，あたかも傷のように表面に出現する.この検査は，最適加工条件を選定するのに重要であるが，時間とコストを要することが課題になっている.本研究ではこれを受け，SiCにおける新たな探査法として，レーザを用いて潜傷を迅速かつ簡便に検出する手法を検討した.これまで我々はシリコンウエハに対し，ナノ秒レーザを照射することで表面に潜傷を露出させることに成功している.そこで本研究では，この潜傷探査法がSiCにも適用可能か調査することから検討を始めることにした.