Herstellung und Charakterisierung von elektro-optischen Bi_4Ge_3O_(12)-Fasern zur optischen Messung von Hochspannungen

摘要

Optische Spannungswandler nutzen zumeist den Pockelseffekt in kristallinen Materialien wie z.B. Bi_4Ge_3O_(12) (BGO) zur Spannungsmessung aus. In einer gebrauchlichen Klasse von Sensoren wird die volle Nennspannung von bis zu einigen 100 kV an einen relativ kurzen Sensorkristall mit einer Lange von typischerweise 100-200 mm angelegt. Die Lange des Kristalls ist hierbei durch die zur Verfugung stehenden Methoden zur Kristallzucht, wie z. B. Czochralski, beschrankt. In dieser Arbeit beschreiben wir die Herstellung von dunnen, einkristallinen BGO Staben und Fasern mit einer Lange bis zu 850 mm mittels des so genannten "Micro-pulling down" Verfahrens. Die optische Qualitat dieser Kristalle und ihre Tauglichkeit zur Spannungsmessung wurden untersucht.