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Effects of V/III Ratios on the Shape and Optical Properties of InP Nanowires Grown on Si Substrates

机译:V / III比对Si基材种植的INP纳米线形状和光学性能的影响

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摘要

We report the effect of varying the MOCVD gas precursor V/III ratios on the structural and optical properties of InP nanowires grown on (111)Si susbstrates. We show record narrow photoluminescence linewidths for optimal ratios.
机译:我们报告了改变MOCVD气体前体V / III比对在(111)Si Susbstrate上生长的InP纳米线的结构和光学性质的影响。我们展示了最佳比率的记录窄光致发光线宽。

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