超伝導臨界温度の擬ポテンシャル半径および軌道電気陰性度に対する依存性（II)--A_nB(n=2,3)型化合物および高温超伝導化合物

摘要

発表(I)では新たに設定した擬ポテンシヤル半径r(eff)値および有効電子数N(v)値を用いることにより元素物質およびAB型超伝導化合物のT_cと有効軌道電気陰性度x(eff)との関係を検討した結果,数多くAB型超伝導化合物においてT_cを原子数で割った1原子当りの平均寄与温度T_c/N(atom)がx(eff)に対してx(eff)=2.0付近に極大を持つ三角形状の依存性を示すことが認められた。