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【24h】

TiB_2/Cu複合材料の反応合成における原料粉末配合比とCu粉末粒径による複合構造制御

机译:通过原料粉末混合比和Cu粉末粒径在反应合成TIB_2 / Cu复合材料中的复合结构控制

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摘要

近年,自動車や様々な電子機器の高性能化に伴い,それらに内蔵された半導体素子からの発熱を制御する放熱設計の重要性が高まっている.放熱設計の要となるのは放熱基板材料である.放熱基板材料には,高い熱伝導率とともに,半導体素子は6~7.0×10~(-6)/K)に近い低練熟膨張係数という特性も求められる.これは,放熱基板材料と半導体素子の熱膨張係数の差が大きいほど高い熱応力が生じ素子の寿命を縮めてしまうからである.熱伝導率が高い物質のひとつとしてCuが挙げられるが, Cuは練熟膨張係数が17×10~(-6)/Kと,半導体素子のそれとは大きな差がある.そこで筆者らの研究力レープでは,これまでTiB_2/Cu複合材料の製造プロセスを開発してきた.これは,Cuに低練熱膨張係数を持つTiB_2(線熱膨張係数=6.6X10~(-6)/K)を複合化することによって高い熱伝導率と低い線熱膨張係数を両立する材料の開発を目指したものである.特に,これまでの研究では,反応合成法や反応浸透法を用いてTiB_2/Cu複合材料を作製してきた.反応合成法とは,発熱反応を用いてマトリックス内に強化材をin-situ生成する手法である.また,反応浸透法とは,反応合成後の複合材料に溶融金属を浸透させることで残存する空隙を除去する方法である.本研究では,Cu,Ti, B粉末を用いた反応浸透法によって複合材料作製を行った.この際原料粉末として用いた伽粉末の粒径や体禰己合率を変えることで,これらの条件が複合構造に与える影響を調べた.
机译:近年来,随着汽车和各种电子设备的高性能,散热设计控制从并入其中的半导体装置的发热的重要性正在增加。这是必要的散热设计散热基板材料。作为散热基板材料,半导体元件也要求具有高的热导率,和低的nataining膨胀系数接近6至7.0×10(-6)/ K),这是一个散热基板材料更高在半导体元件的热膨胀系数之差,较高的热应力。该元件的寿命降低。虽然铜是具有高导热性的物质之一,铜是17的nataining膨胀系数有一个大从×10至(-6)/ k和半导体元件的差异。因此,作者已开发制造TiB_2 / Cu复合材料的过程。这是一种材料,其结合了高导热率和由TiB_2(线热膨胀系数= 6.6×10(-6)/ K)具有低微调膨胀系数在Cu中针对发展结合低的线性热膨胀系数。特别是,在以前的研究中,TiB_2 / Cu复合材料已经使用反应合成和反应渗透制备。该反应的合成方法是在原位原位生成的增强材料的使用中的发热反应的基质的方法。此外,反应渗透的方法是通过渗透熔融金属注入反应合成后的复合材料中去除剩余的空隙的方法。在本研究中,通过使用铜,钛,B粉末进行物质生产反应渗透复合材料。此时,通过改变粒径和用作原料粉末的吵架的主体形率,检查了在复合结构这些条件。

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