机译:采用SiGe 0.35; C; m BiCMOS技术的带悬浮电感的全集成并行双频低噪声放大器
机译:采用SiGe 0.35μmBiCMOS技术的具有悬浮电感的全集成并发双频低噪声放大器
机译:采用0.35μmCMOS技术的1.2V全集成式2.4GHz低噪声放大器
机译:CDMA收发器的低噪声放大器设计在CMOS0.35μm的900MHz中
机译:使用0.35微米CMOS技术的RF宽带低噪声放大器的设计。
机译:用于软件无线电的连续可调低噪声放大器的设计与分析
机译:无线网络的设计2.4 GHz 130nm CMOS低噪声放大器设计