机译:电子显微镜研究多个InGaN / GaN量子阱和InGaN量子点中的V缺陷
机译:电子束损伤对透射电子显微镜检测InGaN量子阱中富铟定位中心的影响
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机译:甘甘甘甘井量子化效果的电子显微镜
机译:GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征= GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征
机译:掺杂Si的InGaN底层对不同数量的量子阱的InGaN / GaN量子阱结构的光学性能的影响
机译:通过扫描近场光学显微镜探测的GaN微面上的(11(2)over-bar2)InGaN / GaN量子阱的有效绿色发射