gate tunneling; DG SOI; quantum effect; CV;
机译:MOS器件基于物理的量子力学紧凑模型,通过超薄(EOT〜1 nm)SiO {sub} 2和高k栅叠层注入衬底的隧道电流
机译:SiO 2 sub> /高堆叠栅氧化物结构的双栅极隧道场效应晶体管电特性的紧凑二维分析模型
机译:基于物理的,精确的紧凑模型,考虑了纳米级金属氧化物半导体场效应晶体管中的量子力学效应,直接隧穿栅极电流
机译:门隧道隧道和量子效应对门通道堆栈紧凑型造型的影响
机译:双栅MOSFET量子效应的紧凑模型。
机译:在甲状腺髓样癌模型中通过药物或结合非类固醇消炎和一氧化氮供体作用的共轭分子的组合诱导凋亡:肿瘤抑制因子p73的意义
机译:离子量子隧道的数学建模揭示了兴奋性相关疾病中其病理生理学的电压门控通道的新颖性质和量子化学性质