Laser controlled thermocracking die separation technique for sapphire substrate based devices

机译：基于蓝宝石基板的装置激光控制的热衣物模具分离技术

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The glass precise cutting by CO_2 laser appeared to be effective for sapphire wafer die separation. A standard sapphire wafer can be processed in 2 min, neither thinning, no final cleaving are needed. A commercial equipment LED chip cutting demonstrated no degradation after 5000 h of the LED test.

机译：Co_2激光器的玻璃精确切割似乎对蓝宝石晶片模具分离有效。标准的蓝宝石晶片可以在2分钟内加工，既不稀疏，不需要最终切割。商用设备LED芯片切割在LED测试5000小时后显示出没有降解。

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来源
《International conference on nitride semiconductors》|2003年||共4页
会议地点
作者
V. Kondratenko; S. Tchernykh; P. Gindin;
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作者单位

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会议组织
原文格式 PDF
正文语种
中图分类化合物半导体;
关键词
thermal properties of crystalline solids; optical properties of bulk materials and thin films;

机译：结晶固体的热性能;散装材料和薄膜的光学性质;

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