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【24h】

Microstructure study of Bi/sub 4/Ti/sub 3/O/sub 12/-SrBi/sub 4/O/sub 15/ and Bi/sub 3.25/La/sub 0.75/Ti/sub 3/O/sub 12/-SrBi/sub 4/Ti/sub 4/O/sub 15/ ceramics

机译：Bi /下4 / Ti / 3 / O / Sub 12 / -SRBI / 4 / O /×15 / AN / BI /下/下3.25 / LO /下/下3 / O / O / O下/下3 / O / O / O下的3 / O / SUI /尺寸/尺寸/尺寸/下方/ o / o / o / o / o / o / o / o / o / o / o / o / o / o / o / o / o / o / o / o / o / o / o / o / o / o / o / o / o / o / o / o / o / o / o / o / o / o / o / o / o / o / o / o / o / o / o / o / O） / o）-srbi / 4 / ti / ti / 4 / o / 15 / un以下/陶瓷

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TEM study is preformed on mixed-layer type bismuth compounds: Bi/sub 4/Ti/sub 3/O/sub 12/-SrBi/sub 4/T/sub 4/O/sub 15/ (BT-SBTi) and Bi/sub 3.25/La/sub 0.75/Ti/sub 3/O/sub 12/-SrB/sub 4/T/sub 4/O/sub 15/ (BLT-SBTi) ceramics. Meeting the prediction of space group theory, APBs and 90/spl deg/ domain wall are observed by bright- and dark-field imaging in both materials. Besides, other planer defects are found and confirmed to be stacking faults.

机译：TEM研究在混合层型铋化合物上预先形成：Bi / Sub 4 / Ti / Sub 3 / O / Sub 12 / Sub 4 / Sub 4 / Sub 4 / O / Sub 15 /（BT-SBTI）和BI / Sub 3.25 / La / Sub 0.75 / Ti / Sub 12 / -SRB / Sub 4 / T / Sub 4 / O / Sub 15 /（BLT-SBTI）陶瓷。通过两种材料中的明亮和暗场成像观察到空间组理论，APB和90 / SPL DEG /畴壁的预测。此外，发现了其他刨型缺陷并确认堆叠故障。

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来源
《IEEE International Symposium on Applications of Ferroelectrics》|2002年||共4页
会议地点
作者
Su D.; Zhu J.S.; Wang D.Y.; Chad H.L.W.; Choy C.L.; Wang Y.N.;
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作者单位

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原文格式 PDF
正文语种
中图分类 TM221-53;
关键词
bismuth compounds; strontium compounds; lanthanum compounds; ferroelectric ceramics; crystal microstructure; stacking faults; antiphase boundaries; electric domain walls; transmission electron microscopy; microstructure; Bi/sub 4/Ti/sub 3/O/sub 12/-SrBi/;

机译：铋化合物;锶化合物;镧化合物;铁电陶瓷;晶体微观结构;堆叠故障;反相界;电畴壁;透射电子显微镜;微观结构;BI / SUB 4 / TI / SUB 3 / O / SUB 12 / -SRBI /;
入库时间 2022-08-20 19:30:25

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