Das Layered Laser Crystallization (LLC) Verfahren wird vorgestellt, mit dem Dunnschichtsolarzellen aus grobkristallinem Silicium auf Glas hergestellt wurden. Die wesentliche Idee dabei ist, zunachst eine dunne amorphe Siliciumschicht auf Glas abzuscheiden, diese mit einem gescanntem cw-Laser zu kristallisieren, wobei Korngrossen von uber 100 μm realisiert wurden, auf diese Keimschicht weiter amorphes Silicium abzuscheiden und dieses, wenn immer 50 nm neu abgeschieden wurden, durch den Puls eines Excimerlasers epitaktisch zu kristallisieren. Auf diese Weise wurden grobkristalline Schichten von mehreren μm Dicke mit einem fur Solarzellen erforderlichen Dotierungsprofil hergestellt. Die Schichtenfolge wurde mit TEM und SIMS, die fertigen Solarzellen optoelektronisch charakterisiert.
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