Numerical simulation; CAD; Power devices; VDMOS; IGBT;
机译:基于4H-SiC基于半导体器件的瞬态过程模拟(考虑到Silvaco TCAD软件包的掺杂剂不完全电离)
机译:TCAD仿真软件对180nm浮栅装置阈值电压的工艺变化效应的制造和研究
机译:用于TCAD仿真的EBIC模型,用于确定半导体器件的表面复合率
机译:TCAD软件在功率半导体器件数值模拟中的应用
机译:二维亚微米半导体器件TCAD通过流体动力学和数值Boltzmann仿真
机译:用TCAD工具对生物传感设备的ISFET结构进行数值模拟
机译:TCAD仿真软件对180nm浮栅装置阈值电压的工艺变化效应的制造和研究