SCH doping effects in a 1.55μm InGaAsP/InGaAsP MQW electro-absorption modulator

机译：SCH掺杂效果在1.55μmingaASP / INGAASP MQW电吸收调制器中

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The effects of n-doped SCH region length t{sub}n as well as the general structure parameters in EA modulators were thoroughly analyzed. It was found that t{sub}n played a crucial role to achieve high-performances in addition to the detuning Δλ.

机译：彻底分析了N掺杂SCH区长度T {SUB} N以及EA调制器中的一般结构参数的影响。发现T {Sub} n在除了静脉静脉之外还在实现高性能的重要作用。

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来源
《Pacific Rim Conference on Lasers and Electro-Optics》|2001年||共2页
会议地点
作者
Jongin Shim; Yungseon Eo; Donghoon Jang;
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正文语种
中图分类 TN2-53;
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