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【24h】

Stable single-mode 850 nm VCSELs with a higher-order mode absorber formed by shallow Zn diffusion

机译:具有由浅Zn扩散形成的高阶模式吸收器的稳定单模850nm vcsels

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摘要

We report that an 850 nm VCSEL with a planar higher-order mode absorber formed by shallow Zn diffusion (0.3 /spl mu/m deep) operated at stable single-mode. A 5 /spl mu/m square device showed single-mode emission with a /spl sim/ 0.8 mA threshold, a 2.2 mW maximum output power, and a mode suppression ratio of 40 dB.
机译:我们报告了一个850nm Vcsel,具有由浅Zn扩散(> 0.3 / SCL MU / M深)形成的平面高阶模式吸收器以稳定的单模操作。 A 5 / SPL MU / M平方设备显示单模发射,带有/ SPL SIM / 0.8 mA阈值,2.2 mW最大输出功率和模式抑制比为40 dB。

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