机译:线性渐变掺杂漂移区:一种新型横向电压保持层,用于改善RESURF LDMOS晶体管的性能
机译:在漂移区内具有任意垂直掺杂分布的横向功率器件的分析模型
机译:通过在n型漂移层内实现p型掺杂区域来形成30V功率DMOSFET
机译:薄膜溶胶上的高性能60-V级横向功率MOSFET,漂移区域中具有分级掺杂曲线
机译:通过优化的溶胶 - 凝胶沉积和纳米颗粒润湿过程制备银掺杂氧化锌薄膜
机译:使用两个铜前体通过溶胶凝胶工艺沉积的掺杂铜的ZnO薄膜:丙烷气氛中的气体传感性能
机译:估算漂移区中具有线性梯度掺杂分布的4H-siC肖特基势垒二极管的功耗