机译:在飞行中和地面上对静态RAM中的单个事件异常敏感度进行测试
机译:使用单能中子源在静态RAM中由1-10 MeV中子引起的单事件扰动
机译:静态RAMS中的中子诱发的单事件扰动观察到10 km的飞行姿态
机译:在飞行和地面测试中对静态RAM中的单个事件异常敏感度
机译:静态随机存取存储器中多个细胞不适的模式识别:实验测试结果与单事件不适机制的相关性。
机译:低摆幅驱动器的单事件翻转灵敏度分析
机译:质子诱导单事件镦粗横截面预测0.15μm六晶体管(6T)硅式绝缘体静态随机接入存储器
机译:用于256k静态Ram(随机存取存储器)的sEU(单事件翻转)测试技术以及重离子和质子引起的扰乱的比较