机译:具有GaAs-InGaP超晶格光学限制层的0.98- / spl mu / m InGaAs-InGaP应变量子阱激光器
机译:In-0.53 $ Ga $ _0.47 $ As p-i-n光电二极管在变态InGaP缓冲半绝缘GaAs衬底上的10 Gb / s操作
机译:利用POF和4×10-Gb / s CMOS收发器芯片组的10米有源光缆
机译:用于10 Gb / s光接收器的InGaP / GaAs HBT-IC芯片组
机译:高功率铝的制造:用于光学泵浦的0.8微米至1.0微米的InGaAsP / InGaP / GaAs激光器
机译:InGaP / GaAs / Ge三结太阳能电池的内部发光效率通过子电池之间的光耦合从光致发光评估
机译:使用InGaasp / InGap应变补偿mQW改善10-Gb / s 850-nm VCsEL的高速性能
机译:InGap / InGaasN / Gaas NpN双异质结双极晶体管