机译:侧面生长窗口的基本横向模式高功率AlGaInP激光二极管
机译:CBE生长的单个GaInAs / GaAs / GaInP大面积激光二极管在每个面上的室温600mW CW输出功率
机译:横向模式稳定窗口结构680 nm AlGaInP可见激光二极管的连续波大功率(75 mW)操作
机译:AlGaInP激光二极管的最大输出为295 mW CW,且窗口上刻有小孔
机译:在块状AlN衬底上生长的亚300 nm发光二极管和激光二极管的点缺陷识别和管理。
机译:使用仅由1.5mW的1480 nm CW激光器激发的β-(NaYF4:Er3 + / NaYF4)纳米探针的三光子发光进行的深高对比度显微细胞成像
机译:高功率200MW AlGainP激光二极管,具有低操作电流
机译:alGaInp二极管激光器阵列的高功率cw操作