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Application And Design Of A Static CMOS 4096-bit RAM

机译：静态CMOS 4096位RAM的应用与设计

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《IEEE Computer Society international conference》|1977年||共6页
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Institute of Electric and Electronic Engineer;
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正文语种
中图分类自动化技术、计算机技术;
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1. Effectiveness and failure modes of error correcting code in industrial 65 nm CMOS SRAMs exposed to heavy ions [J] . TONG Teng, WANG Xiao-Hui, ZHANG Zhan-Gang, 核技术（英文版） . 2014,第001期
2. Temporal Characterization of Static CMOS RAM, Compiled by Suborn Design Rules [J] . V. A. Bachmanov, S. A. Bobrikov, I. V. Zabolotnov Russian Microelectronics . 2011,第7期

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4. Design of BiCMOS SRAMs for high-speed SiGe applications [J] . Xuelian Liu, LeRoy M.R., Clarke R., Circuits, Devices & Systems, IET . 2014,第6期

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5. Application And Design Of A Static CMOS 4096-bit RAM [C] . . 2001

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