周波数領域電磁IPデータのインバージョン解析手法の開発

摘要

本研究では，まず，周波数領域電磁探査によってIP効果が測定値に(与)える影響を評価するためのフォヮード計算を行った.その結果，充電率が大きいほど測定値への影響が大きいこと，IP異常(層)の上面深度や時定数が大きぃほど影響が低周波数域に現れること，ループ中央の測点で最も大きな探査深度が得られることが確認された.いずれのモデルでも応答の虚部の方が実部よりIP効果の影響を強く反映した.