陽電子消滅寿命法と電子スピン共鳴による電子線照射ZnO中空孔型欠陥の光応答性観測

摘要

ワイドギヤップ化合物半導体ZnOは次世代の高機能半導体材料として，実用化に向けた研究開発が進hでいる.しかし光照射により誘起される永続的光伝導効果に関与する欠陥の起源について，従来の評価分析法では十分な情報を得ることができていない.本研究では永続的光伝導のモデルの1つとして提唱されているZungerらのモデル[1]に対応した実験として，液体窒素温度下で電子スピン共鳴と陽電子消滅寿命測定による空孔型欠陥の青色LEDと赤色LED照射に対する応答性を調べた.その結果から，陽電子消滅サイトとァニオン空孔型欠陥の関連づけを試みた.