YbFe_2O_4電子強誘電体PLD薄膜のエピタキシャル成長過程と電子状態におよぼすアブレーションレーザーの影響

摘要

RFe_2O_4(R:希土類)は、結晶内で三角格子を構成する同数のFe2+と Fe~(3+)が引き起こす電荷のフラストレーションによって、電子密度に極性が生じる電子強誘電体である。我々はパルスレーザー堆積 (PLD) 法において、高い結晶性を有するYbFe_2O_4エピタキシャル薄膜の生成に成功し、使用するレーザーのパワー(密度) が YbFe_2O_4の相形成に及ぼす影響を報告してきた。本発表ではYbFe_2O_4エピタキシャル薄膜においてアブレーションレーザーの波長の違いが形成する薄膜の相形成や電子状態に与える影響について報告する。