4層グラフェン/hB N構造を持つ量子ドットの電気伝導特性

摘要

多層グラフェンは単層・2 層グラフェンとは異なる特有のバンド構造を持ち、また単層グラフェンよりも長いスピン緩和長を持つ。このため量子ドットやスピン MOSFET などのスピントロニクスデバイスの材料として有望である。しかしSiO_2/Si基板上に転写したグラフェンを利用した量子デバイスでは、SiO_2基板表面のラフネスや不純物の影響を受けてしまうため明瞭な電子輸送特性を得ることが困難である。また、多層グラフェンを用いた量子ドットデバイスの研究報告は非常に少ない。本研究では、4層グラフェン/hBN構造を用いて単一量子ドットデバイスを作製し、その電気伝導特性を測定したので報告する。