Mg_2Si/Si ヘテロ接合ツェナーダイオードの電気的特性

摘要

TFET (Tunnel FET)は，Source からBody へキャリア移動がトンネル注入を用いて動作するため，S 値を60 mV/dec. 以下に低減でき，待機時の低消費電力化が可能となる．しかし，キャリア注入時のトンネル障壁により，通常型MOSFET よりON 電流が低下する．これまでに我々は，Si に対して高電子エネルギー方向のバンドオフセットを有するMg2Si をSource材料とすることによりON 電流が増大することを明らかにした[1]．さらに光電子分光測定により，Mg2Si/Si 接合のバンドオフセットを定量的に評価した[2]．本報告では，デバイスシミュレーションを用いて，Mg_2Si/Si ヘテロ接合およびSi ホモ接合のツェナーダイオードの電気的特性を評価し，バンドオフセットがトンネル電流に及ぼす影響について検討した．