各種半導体の中赤外FEL 照射による微細LIPSS 形成条件： 微細LIPSS 形成閾値と融解閾値

摘要

アブレーション閾値近傍のフルーエンスで短パルスレーザーを複数回照射することにより、レーザーの波長λよりも小さな周期間隔Λを持つ微細周期構造（LIPSS）が材料表面に自己形成されることが知られている(1)。特に、Λ≪であるようなLIPSS は微細LIPSS と呼ばれ、レーザー光の回折限界よりも微細な加工の手法として注目されているが、その形成機構はいまだに明らかにされていない。