W(110)表面エチレンガス反応による炭化過程の超高真空STM 研究

摘要

単結晶金属基板を使用した化学気相成長法（CVD）を用いて、均一で大きなグラフェン単層膜の作製が可能である。Cu(111)、Ni(111)、Ir(111)基板での成功が報告されている。Cu は炭素固溶度が低く炭素が表面に析出する。一方、Ni は温度による炭素固溶度の変化を利用して炭素を表面に析出できる。一方、タングステン（Ｗ）はタングステンカーバイド（ＷＣ）を形成するが、1000-2000 K での炭化過程はよくわかっていない。