高濃度H_2O_2ガス供給装置(Peroxidizer®)を用いたAl_2O_3-ALD成膜プロセス

摘要

近年、半導体製品の大容量化、高性能化などの要求に応えるため、半導体製造プロセス技術の開発においては微細化が重要課題の一つとなっている。特に、コンデンサー用Al_2O_3 層においては、良好な膜質と高スループットの両立が求められている。原子層堆積法（ALD：Atomic Layer Deposition）は、単原子層レベル（約0.1 nm）の均一な膜厚制御が可能な成膜方法として知られている。そこで、我々はALD 法によるAl_2O_3 成膜に着目し、プロセスの低温化、低コスト化に貢献できる反応剤の開発に取り組hだ。本発表では、酸化膜 ALD における一般的な反応剤であるH_2OガスおよびO_3に代わる反応剤として、H_2O_2ガスを使用することで成膜速度（GPC：Growth Per Cycle）および膜質の向上を検討した。