Noise figure; Gallium arsenide; Logic gates; HEMTs; MODFETs; Inductors; Gain;
机译:用于5.8 GHz电子收费系统的低功耗单电源MMIC功率放大器
机译:具有宽带输入匹配网络的1-17 GHz InGaP-GaAs HBT MMIC模拟乘法器和混频器
机译:采用GaAs / InGaP HBT的紧凑型38 GHz MMIC平衡矢量调制器
机译:使用InP / InGaAs PIN二极管的6-30 GHz紧凑型3位数字衰减器MMIC
机译:用于77 GHz汽车雷达的离子注入式GaAs MESFET MMIC。
机译:适用于2.5 GHz至6 GHz干扰器系统的紧凑型20W GaN内部匹配功率放大器
机译:GaAs MMIC技术在下一代20/30 GHz数据通信系统中的实际应用
机译:Gaas mmIC混频器,用于8-12GHz,基于0.5微米栅极长度的D-mEsFETs。第1卷。设计和布局(Gaas mmIC混频器,8-12GHz,Gerealiseered met 0,5微米栅极冷却D-mEsFET.selel 1. Ontwerp en Layout)。