Power transmission lines; Power amplifiers; Propagation losses; Heterojunction bipolar transistors; III-V semiconductor materials; Power generation; Indium phosphide;
机译:使用250nm InP HBT技术的H波段功率放大器集成电路
机译:250 nm InP DHBT技术中的$ H $波段(220–325 $〜$ GHz)放大器的设计与表征
机译:250nm InP HBT中的紧凑型140GHz,150mW高增益功率放大器MMIC
机译:140nm功率放大器,采用250nm InP HBT技术,具有20.5dBm输出功率和20.8%PAE
机译:InP HBT功率放大器MMIC在220GHz时可达到0.4W
机译:使用InP / GaAsSb / InP DHBT的低功耗单片互阻放大器的首次演示