Solid modeling; Double heterojunction bipolar transistors; Diamond; III-V semiconductor materials; Integrated circuit modeling; Indium phosphide; Heat transfer;
机译:勘误表:“采用金刚石散热层的转移衬底技术改善了InP晶体管的热管理”
机译:带有金刚石散热层的转移衬底技术中的InP晶体管的改进的热管理
机译:在400 GHz上具有$ f_ {t} $和$ f_ {max} $的转移基板技术中的InP DHBT工艺
机译:采用集成基板金刚石散热器的采用转移基板技术的200 mW InP DHBT W波段功率放大器
机译:超过1 THz带宽的大规模InP / InGaAs DHBT
机译:使用接触网络模型和Metropolis-Hastings采样来重构在钻石公主上传播的COVID-19
机译:用于毫米波应用的转移衬底技术中Inp HBT的建模
机译:采用Inp台面DHBT技术,在176 GHz时具有7 dB增益的共基极放大器